Мы в соцсетях

Консультации у менеджеров

Владимир Комен

e-mail: vk@wit.ru
Mobile: +7 (985) 768-8583
Telegram
WhatsApp
Viber
ICQ: 93-685-979
Skype: vkomen1

Сергей Овсянкин

e-mail: so@wit.ru
Mobile: +7 (915) 463-2951
WhatsApp
ICQ: 161-179-158
Skype: sergo1409

Александр Крюков

e-mail: ak@wit.ru
Mobile: +7 (916) 158-0005
Telegram
WhatsApp
ICQ: 429-022-624
Skype: akwit74

Оформить бух. документы

e-mail: buh@wit.ru

Оформить гарантию

e-mail: support@wit.ru

+7 (800) 250-3379
(бесплатно по России)

Samsung DDR5 16GB DIMM 4800MHz M323R2GA3BB0-CQK (Код товара M323R2GA3BB0-CQK, WIT-ID: 111-55-19)

M323R2GA3BB0-CQK  Samsung DDR5 16GB DIMM 4800MHz M323R2GA3BB0-CQK

6 973 ₽

Товар на складе отстутствует. Оставьте координаты для удобного способа связи с Вами, мы сообщим о появлении товара в продаже или в ближайших поставках.

Указанная цена - последняя, по которой товар был доступен. Новые поставки могут быть дешевле или дороже. Нулевая цена означает, что товар не появлялся в продаже больше месяца.




Форм-факторDIMM
Тип памятиDDR5
Общий объем16
Объем одного модуля16
Количество модулей в комплекте1
Частота4 800
Пропускная способностьPC4-38400
CAS Latency (CL)40
РадиаторНет
НизкопрофильнаяНет

Подробное описание

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени

Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.

Удвоенная емкость 

Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.

Варианты написания кода M323R2GA3BB0-CQK, M323R2GA3BB0-CQK, M323R2GА3BB0-CQK, M323R2GА3ВВ0-CQK, M323R2GА3ВВ0-CQK, M323R2GА3ВВ0-СQK, M323R2GА3ВВ0-СQK, M323R2GА3ВВ0-СQK, M323R2GА3ВВ0-СQK, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, M323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК, М323R2GА3ВВ0-СQК