| Максимальная скорость записи, МБ/с | 5 000 |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1 000 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1 000 |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1 500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 600 |
| Ударостойкость при работе, G | 1 500 |
| Энергопотребление при работе, Вт, max | 8.9 |
| Размеры | |
| Ширина, мм | 80.15 |
| Высота, мм | 2.38 |
| Глубина, мм | 22.15 |
| Особенности | Накопитель MZ-V8P1T0B/AM основан на модели MZV8P1T0BW |
| Тип комплектации | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/980-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-1 |
| Комплект поставки | Твердотельный накопитель, документация |
| Интерфейс | |
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
| Серия продукции | 980 PRO |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем, ГБ | 1 000 |
| Тип памяти | 3D V-NAND TLC |
| Объем буфера, МБ | 1 024 |
| Тип буферной памяти | DDR4 |
| Максимальная скорость чтения, МБ/с | 7 000 |
| Варианты написания кода | MZ-V8P1T0B/AM, MZ-V8P1T0B/AM, MZ-V8P1T0B/АM, MZ-V8P1T0В/АM, MZ-V8P1T0В/АM, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ |