Мы в соцсетях

Консультации у менеджеров

Владимир Комен

e-mail: vk@wit.ru
Mobile: +7 (985) 768-8583
Telegram
WhatsApp
Viber
ICQ: 93-685-979
Skype: vkomen1

Сергей Овсянкин

e-mail: so@wit.ru
Mobile: +7 (915) 463-2951
WhatsApp
ICQ: 161-179-158
Skype: sergo1409

Александр Крюков

e-mail: ak@wit.ru
Mobile: +7 (916) 158-0005
Telegram
WhatsApp
ICQ: 429-022-624
Skype: akwit74

Оформить бух. документы

e-mail: buh@wit.ru

Оформить гарантию

e-mail: support@wit.ru

+7 (800) 250-3379
(бесплатно по России)

SSD Samsung 1TB M.2 2280 980 PRO PCIe Gen4x4 with NVMe MZ-V8P1T0B 7000/ 5000, IOPS1000/ 1000K, MTBF 1.5M, 3D NAND TLC, 600TBW, 0, 33DWPD (Код товара MZ-V8P1T0B/AM, WIT-ID: 112-66-63)

MZ-V8P1T0B/AM  SSD Samsung 1TB M.2 2280 980 PRO PCIe Gen4x4 with NVMe MZ-V8P1T0B 7000/ 5000, IOPS1000/ 1000K, MTBF 1.5M, 3D NAND TLC, 600TBW, 0, 33DWPD

12 358 ₽

Товар на складе отстутствует. Оставьте координаты для удобного способа связи с Вами, мы сообщим о появлении товара в продаже или в ближайших поставках.

Указанная цена - последняя, по которой товар был доступен. Новые поставки могут быть дешевле или дороже. Нулевая цена означает, что товар не появлялся в продаже больше месяца.




Максимальная скорость записи, МБ/с5 000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS1 000
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS1 000
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1 500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ600
Ударостойкость при работе, G1 500
Энергопотребление при работе, Вт, max8.9
Размеры 
Ширина, мм80.15
Высота, мм2.38
Глубина, мм22.15
ОсобенностиНакопитель MZ-V8P1T0B/AM основан на модели MZV8P1T0BW
Тип комплектацииRTL
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/980-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-1
Комплект поставкиТвердотельный накопитель, документация
Интерфейс 
Тип интерфейсаPCI Express
Версия PCI-EPCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использованияDesktop
Серия продукции980 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
Форм-факторM.2 2280
Номинальный объем, ГБ1 000
Тип памяти3D V-NAND TLC
Объем буфера, МБ1 024
Тип буферной памятиDDR4
Максимальная скорость чтения, МБ/с7 000
Варианты написания кода MZ-V8P1T0B/AM, MZ-V8P1T0B/AM, MZ-V8P1T0B/АM, MZ-V8P1T0В/АM, MZ-V8P1T0В/АM, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8P1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1T0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ, МZ-V8Р1Т0В/АМ